西铁城晶振处理事项
你知道晶振厂商处理晶振的正确方式吗？今天加科电子分享西铁城CITIZEN晶振处理晶体产品的正确方法，以防止在使用前出现问题，并提高其所用设备的可靠性。
1.晶振的使用注意事项
1.误落：<所有产品>晶体单元的设计和制造可以抵抗物理冲击。但是如果晶体单元受到过大的冲击,例如掉落在地板上或在安装过程中遭受冲击,则在使用前必须确保其性能令人满意。
2.焊接：<通孔类型>导线应在3秒内焊接完毕,烙铁加热到不超过380ºC的温度,对于浸焊安装,应在10秒内,温度不高于260ºC,注意在浸入式安装过程中不要加热整个晶体单元,建议垂直安装（防止热量直接传导到晶体单元的主体）例如在回流炉中加热整个晶体单元可能会损害其性能,这是因为保持器非常小,并且通过用焊料进行压力密封来密封,因此不允许进行回流工艺。
铅焊料
无铅焊料（CM309E除外）
无铅焊料（CM309E）
1.晶振的使用注意事项
3.弯曲引线：<圆柱型产品>当需要弯曲圆柱型晶体单元的引线时，应从表壳中留出超过1.5毫米（建议为3.0毫米）的引线，以防止密封玻璃在引线根部破裂，然后使用尽可能弯曲的夹具。请避免直接从导线根部弯曲。弯曲圆柱型晶体单元的引线时，请勿从引线表面刮下焊料镀层。
4.安装：<圆柱型产品>由于特性恶化或产品损坏，必须严格避免在圆柱型晶体单元的主体上进行焊接。建议使用橡胶粘合剂。当需要用手弯曲导线时，请遵循以下说明。用手抓住圆柱型晶体单元的主体。用镊子夹住要弯曲的部分。弯曲的部分应与机壳相距超过1.5毫米，但在密封玻璃的那部分上。用镊子将导线按压并弯曲90°，而不用力拉导线。请确保用力拉动导线可能会导致密封玻璃在导线根部破裂，并可能导致气密性和特性下降。
晶振的使用注意事项
5.<清洁：所有产品>晶体单元可能会受到超声波清洗的影响，甚至在最坏的情况下会被破坏。在使用前，请务必检查清洁过程是否对晶体单元造成任何损坏。某些清洁液可能会损坏晶体单元。请确保事先检查清洁液的适用性。当使用自动装载贴片机时，请在安装前测试并确认对晶体单元的特性没有造成任何损害。在对晶体单元进行安装和焊接后的切割过程中弯曲电路板可能会导致焊料剥落或封装破裂机械应力。请确保晶体单元位置的布局应力较小，而切割过程对晶体单元的应力较小。
2.晶振的使用注意事项
1.焊接：应在不高于260ºC的温度下10秒钟内焊接，或在不高于380ºC的温度下3秒内焊接。
2.清洁：晶体振荡器可能会受到影响，并且在最坏的情况下，会受到超声波清洗的破坏。在使用前，请务必检查清洁过程是否对晶体振荡器造成任何损坏。某些清洁液可能会损坏晶体振荡器。请确保事先检查清洁液的适用性。
3.安装：反向安装晶体振荡器可能会导致故障或损坏，因此请在安装前检查方向。使用自动装载贴片机时，请选择冲击力较小的机器，并检查产品是否损坏。
4.热冲击：大幅度的反复快速温度变化可能会导致晶体振荡器性能下降，并折断封装内部的导线。必须避免这种情况。
5.静电：即使电路板中装有防静电保护电路，过多的电量也可能损坏晶体振荡器内部的IC。请确保使用导电包装材料和运输容器，使用电烙铁和无高压泄漏的测量电路，并在使用晶体振荡器时提供接地连接。
6.噪声：在电源或输入引脚上施加过量的外来噪声可能会导致闩锁或杂散现象，从而导致故障和击穿。请勿在晶体振荡器附近放置任何会发出高水平噪声的物体。
7.电源线：电源的线阻抗应尽可能低。为了保持稳定的操作，晶体振荡器的电源应具有一个旁路电容（0.01μF?0.1μF）。电容应尽可能靠近晶体振荡器电源引脚（VDD引脚和GND引脚）放置。电源线（VDD和GND）应尽可能粗和短。
8.输出线：为了降低输出线的线阻抗并减少电磁辐射，应将输出负载安装在尽可能靠近晶体振荡器的位置。
9.输入行：输入引脚（OE）由内部电阻上拉，应在低阻抗下使用以抑制噪声，但如果不使用，则将其连接至VDD。
3.处理所有产品通用的注释
1.存储：高温或高湿条件下存放晶体产品可能会影响频率稳定性或可焊性，请在常温常湿下保存晶体产品，请勿暴露在直射阳光下或结露的环境中，并避免长期保存晶体产品：请尽快将其安装打开包装后有可能。
2.振荡电路设计中的处理注意事项：为了充分利用晶体单元的特性，必须设计具有最佳条件的振荡电路常数。基于我们多年来积累的经验，Citizen Finedevice提供了诸如检查客户针对以下提到的要点设计的振荡电路之类的服务，以确保晶体单元和振荡电路之间的最佳匹配。这项调查的目的是我们制造我们的产品，以确保为客户提供更多的安全性和易用性。
MOS晶体振荡电路
3.处理所有产品通用的注释
3.负载电容（CL）：负载电容（CL）是指假设从晶体单元侧观察的振荡电路中的有效外部串联电容。谐振频率将基于负载电容和晶体单元确定。因此，振荡电路的负载电容的差异可能会引起频率偏差（导致谐振频率与所需频率不同）。
4.负电阻（-R）：负电阻反映了振荡运动的余量和余量，负电阻不足可能会引起不可预料的故障，例如无振荡或启动时间缓慢。
5.驱动电流（i）：驱动电流是指流过晶体单元的电流。对晶体单元施加过大的驱动电流可能会导致以下故障/现象。电磁波噪声增加T / F的晶振单元断开在整个工作温度范围内，频率公差中都会出现异常。晶体单位特性的变化（频率变化，运动阻力变化等）
6.频率电压系数：代表电源电压变化引起的频率变化率。由于电源变化而引起频率变化的原因更多地归因于振荡电路侧（尤其是IC）而不是晶体单元侧。通常希望相对于电源电压的±10％变化，将频率变化率保持在±5 ppm以内。
7.频率-工作温度范围内的频率公差：表示相对于工作温度变化的频率变化率。在整个工作温度范围内，在频率耐受性方面，振荡电路和晶体单元之间可能会有很大差异。
（示例）频率-工作温度范围内的频率公差
4.如何检查振荡运动的余量
7.如何检查振荡运动的余量：要确定振荡运动的余量，应检查振荡电路的负电阻（-R）。将一个可变电阻器（VR）与晶体单元串联连接到振荡电路。将VR的电阻值从“无振荡”状态调整到振荡启动。振荡开始时，该电阻值为负电阻（-R）。调整C1，C2和Rd的值，以使负电阻至少比有效电阻大5倍，以确保有足够的裕度来保证振荡运动。请注意，建议-R至少应为有效电阻的10倍具有高品质和可靠性的设备（例如汽车零部件）的电阻。
